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Emerging Resistive Switching Memories
Sprache
Englisch
Englisch
Buch
Broschur
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric...
Vollständige Beschreibung
Libristo-Code: 02942824
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161 b
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This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.§
Informationen zum Buch
Vollständiger Name
Emerging Resistive Switching Memories
Autor
Jianyong Ouyang
Sprache
Englisch
Englisch
Einband
Buch - Broschur
Datum der Veröffentlichung
2016
Anzahl der Seiten
93
EAN
9783319315706
ISBN
3319315706
Libristo-Code
02942824
Gewicht
1708
Abmessungen
155 x 235 x 7
Kategorie
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse
>
Elektronik, Nachrichtentechnik
>
Elektronik
>
Schaltkreise und Komponenten (Bauteile)
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse
>
Elektronik, Nachrichtentechnik
>
Elektronik
>
Elektronische Geräte und Materialien
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse
>
Technologie, allgemein
>
Nanotechnologie
