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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

Sprache EnglischEnglisch
Buch Broschur
Buch AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications Jutta Kühn
Libristo-Code: 01877569
Verlag KIT Scientific Publishing, November 2010
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/G... Vollständige Beschreibung
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This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Informationen zum Buch

Vollständiger Name AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Autor Jutta Kühn
Sprache Englisch
Einband Buch - Broschur
Datum der Veröffentlichung 2011
Anzahl der Seiten 259
EAN 9783866446151
Libristo-Code 01877569
Verlag KIT Scientific Publishing
Gewicht 430
Abmessungen 148 x 210 x 12

Kategorie

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Elektronik, Nachrichtentechnik
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